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[发明专利]等离子体处理设备-CN201880038219.7有效
发明人：马绍铭;弗拉迪米尔·纳戈尔尼;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了等离子体处理设备。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。该设备包括可进行操作以在处理室中支撑工件的基座。该设备包括等离子体室。等离子体室沿着等离子体室的电介质侧壁的垂直表面限定有源等离子体产生区域。该设备包括沿垂直方向定位在处理室和等离子体室之间的分离格栅。该设备包括围绕等离子体室延伸的多个感应线圈。多个感应线圈中的每一个可进行操作以在沿着等离子体室的电介质侧壁的垂直表面的有源等离子体产生区域中产生等离子体。
等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理设备-CN200810172549.3无效
发明人：李荣钟;崔浚泳;曹生贤;黄荣周;金钟千 -专利权人：爱德牌工程有限公司
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种等离子体处理设备，用于在维持于真空状态的室中产生等离子体并使用所述等离子体处理基板。所述等离子体处理设备包括在淋浴头中形成的用于使制冷剂循环的制冷剂通道，从而容易地控制淋浴头的温度并改善等离子体处理的再现性。
等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理设备-CN200510130190.X无效
发明人：李荣钟;崔浚泳;曹生贤;黄荣周;金钟千 -专利权人：爱德牌工程有限公司
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：一种用于在维持于真空状态的室中产生等离子体并使用所述等离子体处理基板的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括在淋浴头中形成的用于使制冷剂循环的制冷剂通道，从而容易地控制淋浴头的温度并改善等离子体处理的再现性。
等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理设备-CN201110248521.5无效
发明人：孙亨圭;李荣钟;姜赞镐 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开一种等离子体处理设备，包括：腔室，包括等离子体处理空间和开口的顶部；介电窗，遮盖所述腔室的顶部；窗框架，支撑所述介电窗；天线，位于所述介电窗上并且使得电感耦合等离子体(ICP)产生在所述等离子体处理空间中；电容耦合等离子体(CCP)框架，布置在所述天线下方并且使得电容耦合等离子体产生在所述等离子体处理空间中；以及基座，布置在所述等离子体处理空间中，作为待处理物体的基板安放在所述基座上。这样，可以获得ICP和CCP两者、有利于ICP的初始放电、防止因框架而发生的等离子体减少以及提高处理速度。
等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理设备-CN201811259047.4在审
发明人：陈柏儒;吴俊星;吴方仪;邱意为;陈志壕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在此提供一种等离子体处理设备。此等离子体处理设备包括等离子体腔室及第一电极阵列，其中此等离子体腔室包括壳体及晶圆支撑物，且此第一电极阵列设置于壳体之上及之外。第一电极阵列包括复数个第一子电极。此等离子体处理设备亦包括复数个第一匹配单元设置于壳体之外，且第一匹配单元的每一者电性连接到第一子电极的每一者。
等离子体处理设备第一电极壳体匹配单元子电极复数等离子体腔室电性连接阵列设置支撑物晶圆体腔离子

[发明专利]等离子体处理设备-CN200810222421.3有效
发明人：张风港 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2008-09-16 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理设备，包括内部具有反应腔室的外壳体、设于所述反应腔室中的下电极以及贯穿所述外壳体并支撑所述下电极的悬臂支撑装置；所述悬臂支撑装置枢装于所述外壳体的侧壁且能够在所述外壳体中自转；所述等离子体处理设备进一步包括定位装置，以便可选择地固定所述悬臂支撑装置与所述外壳体的相对位置。本发明所提供的等离子体处理设备省略了将所述下电极自所述反应腔室中取出这一步骤，而该步骤的存在正是现有的等离子体处理设备维护作业过程较为复杂的一个重要原因；因此，本发明所提供的等离子体处理设备显著简化了维护操作，并节省了维护成本以及维护时间，等离子体处理设备的使用效率也得到了显著提高。
等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理设备-CN201680015153.0有效
发明人：亚历山大·利坎斯奇;史费特那·B·瑞都凡诺;威廉·戴维斯·李 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于形成植入到衬底中用的倾角离子束的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包含形成等离子体的等离子体室。提取孔口包含多个可旋转板。通过由多个可旋转板限定的孔口提取离子细束。这些板的旋转程度决定了提取离子束的提取角。这些板可以形成为多种不同的形状，这样可以增大可实现的最大提取角。另外，电极可以安置在板附近以影响提取角。本发明的等离子体处理设备允许多种多样的离子束角度并且因此允许多种多样的入射角度，且同时还能保持良好角展度。
倾角离子束多孔提取系统

[实用新型]等离子体处理设备-CN201220130291.2有效
发明人：朴希侦 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子体处理设备，所述设备包括：腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；第一封盖部件，被安装成覆盖所述开口的内周表面，以防止所述内周表面被等离子体蚀刻，且所述第一封盖部件被分成多个单元；以及第二封盖部件，被安装成覆盖所述腔室的一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向所述腔室的内侧方向形成的表面。采用该结构，可以容易地修复和替换易受等离子体蚀刻损害的部分，以便于可以提高等离子体处理设备的耐用性。此外，能够最小化执行等离子体工艺的处理空间的变形，由此使得衬底具有均匀的性质。
等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理设备-CN201180041127.2有效
发明人：池田真义;坂本清尚;泽田明宏;佐护康实;长谷川雅己;栗田资三 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理设备，其能够通过校正等离子体密度分布的不均匀来使基板处理均匀。该设备具有下面的结构：利用等离子体处理基板，减压容器设置有围绕容器的外周所配置的环形天线，由电源容器和处理容器形成减压容器，其中，将基板置于处理容器中，并且处理容器与电源容器的内部空间连通。通过提供至天线的射频电力在电源容器中生成等离子体。通过围绕天线的外周所配置的螺线管线圈的磁场使等离子体扩散至处理容器中。通过利用倾斜调整部件调整螺线管线圈相对于处理基板的倾斜，来调整螺线管线圈所生成的磁场的倾斜，并进行基板处理。
等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理设备-CN200510102511.5无效
发明人：李荣钟;崔浚泳;安贤焕;姜赞镐;白晛祐;黄荣周 -专利权人：爱德牌工程有限公司
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在此公开的是一种等离子体处理设备，其在真空室内产生等离子体以使用所述等离子体来处理半导体基板。所述设备包括基板安装台、外提升棒及阻挡。所述外提升棒包括驱动轴及垂直耦合到所述驱动轴上端的基板支撑部件。结果，保护所述基板支撑部件免受等离子体的影响、并在所述等离子体处理设备的操作期间防止所述阻挡和外提升棒之间的干扰是可能的。
等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理设备-CN201880037158.2在审
发明人： D·万德克;M·哈恩尔;K-O·施托克;L·特鲁特威格;M·里克 -专利权人：奇诺格有限责任公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体处理，其用于实施介电阻挡等离子体放电的设备，所述等离子体处理设备包括一具有处理侧(5)的电极单元(1)和一供给单元(10)，电极单元(1)能够与所述供给单元机械连接并且电接触，以便被供给用于产生等离子体所需的供给电压，其中，电极单元(1)具有电极组件，所述电极组件至少朝所述处理侧(5)通过面状的电介质(2)屏蔽，能够通过如下方式使用具有同一个供给单元(10)的不同的电极单元(1)：电极单元(1)具有编码，并且供给单元(10)具有用于所述编码的识别装置，并且所述识别装置与控制装置连接，所述控制装置根据识别出的编码来控制用于产生等离子体的供给电压。
等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理设备-CN200680010657.X无效
发明人：有田洁;中川显 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-04-04 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体处理设备包括：作为下电极(3)的台(31)；作为下电极的对电极的上电极(4)；以及其中放置了下电极和上电极的处理腔室(2)。所述设备向位于下电极和上电极之间的等离子体发生空间(A)提供气体，以产生等离子体，使得处理对象(W)受到等离子处理。在所述设备中，上电极由以下部分构成：本体部分(41)，具有供气端口(T)；透气多孔盘(43)，位于本体部分(41)的下侧上，以便封闭供气端口(T)；以及支架构件(41)，用于支撑多孔盘的外部边缘部分。用于吸收由于在等离子体处理中的热膨胀导致的应力的狭缝(S)以一定间距形成于多孔盘的外部边缘部分中。
等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理设备-CN200910003772.X无效
发明人：田村一成 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-02-01 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理设备。该等离子体处理设备可以抑制由于附着在处理腔内的产物等所引起的电极阻抗的变化，并且防止用于等离子体而消耗的电功率的变化。根据本发明，等离子体处理设备包括：射频电源(5)，其相对于GND输出射频功率；切换装置(24)，其连接到所述射频电源；下电极(2)，其连接到所述切换装置(24)；阻抗控制装置(22)，其连接在所述下电极
等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理设备-CN201880041052.X有效
发明人：笹井建典;豊田浩孝 -专利权人：住友理工株式会社;国立大学法人名古屋大学
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本技术的目的是提供一种对液体进行均匀等离子体处理的等离子体处理设备。等离子体处理设备(100)包括：同轴波导，该同轴波导具有内导体(110)、第一外导体(120)以及第二外导体(130)；微波发生单元(150)；外部管(140)，该外部管(140)位于第一外导体(120)和第二外导体(130)的外侧并与第一外导体(120)和第二外导体(130)共同形成供液体流通的流路(LP1)；以及等离子体发生区域(PG1)。等离子体发生区域(PG1)是沿着第一外导体(120)的第一凸部(121)和第二外导体(130)的第二凸部(131)彼此面对的位置延伸的区域。
等离子体处理设备

[发明专利]等离子体处理设备-CN200910006920.3有效
发明人：松本直树;吉川润;佐佐木胜;加藤和行;四方政史;高桥慎伍 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：提供一种等离子体处理设备，其特征是通过限定电介质与缝隙之间的位置关系来极大地提高等离子体点火性和点火稳定性。等离子体处理设备(11)包括：处理室(12)，其具有顶部开口；电介质(15)，在其底面上具有倾斜面(16a和16b)，使得厚度尺寸连续变化，并且该电介质(15)被布置成封闭处理室(12)的顶部开口；以及天线(24)，其被布置在电介质(15)的顶面上，用于向电介质(15)供给微波，从而在电解质(15)的底面产生等离子体。
等离子体处理设备

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